2、非平衡状态pn结能带图：施加偏压V后，能带整体抬升（正偏压V>0）或下降（反偏压V<0），费米能级由相等变为相差qV。 E_{Fn} 在n型中性区、空穴扩散区以及势垒区，准费 …

以硅pn结为例。 p区为掺了3族元素的半导体硅。在常温下，p区的能自由移动的带正电荷的空穴浓度与掺杂的3族元素（例如铝）浓度相等，而每一个空穴对应一个带负电荷的铝离子，铝离子 …

当pn结形成的时候，p型半导体和n型半导体直接接触。之前曾经讲过热平衡时同一块半导体材料会具有统一的费米能级，所以当pn结形成时，半导体的能带会发生弯曲，使得p型和n型半导体 …

pn结正向偏置时，相当于在pn结施加p指向n的外加电场，与内建电场反向，使势垒降低，正向电压足够大时，外加电场刚好与内建电场大小相等方向相反，势垒变平，n区电子向p扩散，p区空 …

Jan 6, 2021 · 针对pn结我想先说下课本中没有讲明白的几点. 1，空穴本身不存在，是自由电子挣脱束缚形成的，所以内建电场什么多子少子扩散其实还是电子从n区边界扩散到p区边界，那么n …

pn结宽度： 宽度增加：当pn结的宽度增加时，漏电流通常会增加。宽的pn结区域提供了更多的空间，使得电子和空穴在反向偏置下可以更容易地通过。因此，宽pn结具有较高的漏电流。 宽 …

Jan 26, 2016 · pn结内电场的作用力下，为什么会阻碍n区的自由电子的扩散运动同时也会有利于p区少子自由电子的漂移运动？ 2 个回答 PN结形成后，虽有内电场，整个半导体仍呈现电中 …

May 3, 2021 · pn结是半导体器件的基础，各类三极管、mos管、fet管、hemt管也都由pn结（上述广义的）构成，那么是不是所有的芯片都必须有pn结？ 接着就是，如何定义芯片？

知乎，中文互联网高质量的问答社区和创作者聚集的原创内容平台，于 2011 年 1 月正式上线，以「让人们更好的分享知识、经验和见解，找到自己的解答」为品牌使命。知乎凭借认真、专业 …

pn 结是半导体器件中的一个基本结构，它由一个p型半导体和一个n型半导体直接接触而形成，两者之间的交界面就是pn结。 pn结的深度，即pn结在半导体材料中的渗透深度或扩散深度，对 …